「応用情報技術者試験/平成30年秋期午前問10」

問題

出典:応用情報技術者令和平成30年秋期午前問10

相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。

ア:一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
イ:結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
ウ:フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
エ:リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ

解説

ROMとは、一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリである。
相変化メモリとは、結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリである。
SRAMとは、フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
DRAMとは、リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ

解答

正解:イ

アドセンス
改行

テックキャンプ